EPROM

Erasable Programmable Read Only Memory

Types de mémoire RAM et ROM

Volatiles DRAM eDRAM SRAM 1T-SRAM à venir : Z-RAM

Non-Volatiles ROM PROM EPROM EEPROM à venir : FeRAM MRAM NRAM PRAM

La mémoire EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) est un type de mémoire morte reprogrammable.

Fonctionnement

Première mémoire EPROM d'Intel, la 1702 de 2 048 bits, organisée en 256 mots de 8 bits

La mémoire EPROM peut être lue par l'électronique de l'équipement sur lequel elle est utilisée. Elle ne peut par contre pas être facilement écrite. L'écriture est un processus relativement lent qui dépendra du modèle (Exemples : 1 minute pour 2 Mbit pour un modèle moderne - M27C160 - mais jusqu'à 3 minutes pour un modèle plus ancien de seulement 32 Kbit - F2732 -) et nécessitant l'application de tensions électriques plus élevées et rarement gérées directement par la carte mémoire. Il est possible d'écrire la totalité de l'EPROM ou indépendamment certaines adresses mémoires mais il faut pour cela retirer l'EPROM de son support et la placer dans un programmateur spécial.

Programmeur d'EPROM. La carte doit être reliée à un ordinateur pour recevoir les données à programmer dans la mémoire

Pour effacer la mémoire EPROM, il faut la retirer du circuit et soumettre la puce électronique qu'elle contient à travers une fenêtre transparente en quartz à un rayonnement ultra-violet. C'est un processus contraignant, (seule technologie d'effacement disponible à l'époque), qui limite les possibilités d'utilisation de cette mémoire. Il est de cette façon impossible d'effacer sélectivement certaines parties de la mémoire. Quand l'EPROM est exposée à la lumière ultra-violette (bande UV-C), c'est toujours la totalité de l'EPROM qui est réinitialisée. Modifier une seule donnée demande donc l'effacement et la reprogrammation de la totalité de la mémoire EPROM.

Le principe de l'EPROM-UV est le suivant :

Une charge d'électrons est stockée dans la grille d'un transistor MOS ; une tension d'environ 25 V (environ moitié moins pour les modèles récents) est requise pour ce stockage lors de la programmation du composant. Si l'on illumine la puce avec des UV-C, l'on fournit assez d'énergie aux électrons piégés pour quitter la grille. La durée requise pour l'effacement est de 10 à 20 minutes.

EPROM 27C256 de 256 Kibits, soit 32 Kio

PROM versus EPROM

A la différence d'une mémoire PROM (Programmable Read Only Memory) qui ne peut être programmée qu'une seule fois, une mémoire EPROM peut être effacée et reprogrammée plusieurs fois et peut être lue à l'infini.

EPROM versus EEPROM

La mémoire EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read-Only Memory) peut être effacée électriquement, sans qu'il ne soit nécessaire de la retirer de l'appareil qui la contient.

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