Trimethylgallium

Triméthylgallium

Triméthylgallium
Général
No CAS	1445-79-0
SMILES	C[Ga](C)C eMolecules PubChem
InChI	InChI=1/3CH3.Ga/h3*1H3;/rC3H9Ga/c1-4(2)3/h1-3H3
Apparence	liquide incolore
Propriétés chimiques
Formule brute	C3H9Ga  [Isomères]
Masse molaire	114,827 g∙mol-1 C 31,38 %, H 7,9 %, Ga 60,72 %,
Propriétés physiques
T° fusion	-15 °C
T° ébullition	55,7 °C
Solubilité	réagit violemment avec l'eau
Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire.

Le triméthylgallium (TMG), Ga(CH₃)₃, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc.

Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d. qu'il prend feu spontanément au contact de l'air. Même les solutions d'hydrocarbure de TMG, une fois suffisamment saturées, sont connues pour prendre feu spontanément au contact de l'air.

Le TMG est connu pour réagir violemment avec l'eau et d'autres composés capables de fournir un ion hydrogène libre actif (c'est-à-dire un proton). Par conséquent, le TMG doit être manipulé avec le soin et l'attention nécessaires, par exemple, entreposé dans un endroit frais et sec entre 0 °C et 25 °C, sous atmosphère inerte^[1].

Utilisation

Dans la fabrication de semi-conducteurs, le triméthylgallium est utilisé en épitaxie en phase gazeuse dans le dépôt de couches de GaAs ou de GaN épitaxiées^[2].

Notes et références de l'article

1. ↑ Journal of Crystal Growth (2004); DOI:doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007
2. ↑ [1], air liquide, consulté le 7 septembre 2009

Voir aussi

Articles connexes

• Gallium

Liens et documents externes

Ce document provient de « Trim%C3%A9thylgallium ».