Jores Alferov
Jaurès Alferov

Jaurès Ivanovitch Alferov[note 1] (15 mars 1930 à Vitebsk, République socialiste soviétique de Biélorussie) est un physicien russe d'origine biélorusse. Il est colauréat avec Herbert Kroemer d'une moitié du prix Nobel de physique de 2000[1].

Sommaire

Biographie

Alferov est né à Vitebsk en République socialiste soviétique de Biélorussie, maintenant Biélorussie. En 1952, il est diplômé de l'Institut électrotechnique V. I. Oulianov (Lénine) de Léningrad. Depuis 1953, il travaille à l'Institut physico-technique Ioffe de l'académie des sciences d'URSS (Académie des sciences de Russie depuis 1991). Il devient docteur es sciences physiques et mathématiques en 1970. Il est directeur de l'institut depuis 1987. Il est élu membre correspondant de l'Académie des sciences en 1972, puis membre de l'académie en 1979. Depuis 1989, il est vice-président de l'Académie des sciences, et président de son centre scientifique de Saint-Pétersbourg.

Domaines de recherche

Depuis 1962, il travaille dans le domaine des semi-conducteurs, et plus particulièrement des hétérostructures. Ses travaux dans la physique et la technologie des semi-conducteurs à hétérostructures, et plus particulièrement l'étude des propriétés d'insertions, le développement de lasers, de cellules solaires, de DEL et de procédés d'épitaxie ont contribué à l'avènement de la physique des semi-conducteurs modernes.

Il est colauréat avec Herbert Kroemer d'une moitié du prix Nobel de physique de 2000 (l'autre moitié a été remise à Jack Kilby) « pour des travaux de base dans les technologies de l'information et des communications [...] pour le développement d’hétérostructures semi-conductrices pour l’électronique rapide et l’opto-électronique[1] ».

Distinctions et récompenses

Jaurès Alferov et Vladimir Poutine le 12 octobre 2000

Notes et références

Notes

  1. En URSS, le prénom Jaurès était donné en hommage au socialiste pacifiste français Jean Jaurès.

Références

  1. a et b (en) « for basic work on information and communication technology [...] for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics » in Personnel de rédaction, « The Nobel Prize in Physics 2000 », Fondation Nobel, 2010. Consulté le 28 juin 2010

Annexes

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