24304-00-5

Nitrure d'aluminium

Nitrure d'aluminium
Général
Nom IUPAC	Nitrure d'aluminium
No CAS	24304-00-5
No EINECS	246-140-8
Apparence	cristaux hexagonaux blanc bleuté
Propriétés chimiques
Formule brute	AlN  [Isomères]
Masse molaire	40,9882 g∙mol-1 Al 65,83 %, N 34,17 %,
Propriétés physiques
T° fusion	décomposition à 3 000 °C
T° ébullition	sublimation à 2 200 °C
Solubilité	réagit avec l'eau
Masse volumique	3,255 g/cm³
Propriétés électroniques
Bande interdite	6.2 eV
Précautions
SIMDUT[1]
Produit non contrôlé Ce produit n'est pas contrôlé selon les critères de classification du SIMDUT.
Unités du SI & CNTP, sauf indication contraire.

Caractéristiques et applications

Le nitrure d'aluminium (symbole chimique : AlN) est un semi-conducteur à large bande interdite (6,2 eV). C'est un matériau réfractaire et isolant électrique possèdant une très grande conductivité thermique et présentant une grande résistance à l'oxydation et l'abrasion. Il a des applications potentielles en optoélectronique dans le domaine des ultraviolets, comme substrat pour des croissances épitaxiales et en électronique de puissance pour la fabrication de transistors hyperfréquence de puissance.

Actuellement il y a de nombreuses recherches pour produire des diodes à émission UV utilisant du nitrure de gallium et d'aluminium. Des expériences ont permis d'atteindre des longueurs d'ondes de l'ordre de 210 nm^{[réf. nécessaire]}, le gap du nitrure d'aluminium autoriserait des émissions jusqu'à 200 nm en principe. Mais il faudra sans doute encore beaucoup de temps avant de voir de tels composés électroniques arriver sur le marché.

Méthodes d'élaboration

A l'heure actuelle en recherche et développement, les techniques physico-chimiques d'élaboration de monocristaux d'AlN sont la sublimation, l'épitaxie par jet moléculaire (MBE) et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD).

Références

1. ↑ « Nitrure d'aluminium » dans la base de données de produits chimiques Reptox de la CSST (organisme canadien responsable de la sécurité et de la santé au travail), consulté le 25 avril 2009

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