Base commune
Un amplificateur à base commune.

En électronique, une base commune est un type d'amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. Le terme de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la masse. Dans cette configuration, le signal d'entrée est appliqué à l'émetteur, le signal de sortie étant récupéré au collecteur.

Ce circuit n'est pas le plus employé en basse fréquence, mais il est souvent utilisé pour les amplificateurs qui exigent une impédance d'entrée exceptionnellement basse, comme par exemple les microphones à bobine mobile. Ce circuit est très utilisé dans les amplificateurs à haute fréquence, comme par exemple pour la VHF ou l'UHF car sa capacité d'entrée n'est pas accrue par l'effet Miller, responsable de la chute du gain à haute fréquence du montage à émetteur commun. Il est aussi souvent utilisé dans les amplificateurs à plusieurs étages car son courant d'entrée dépend très peu de sa tension de sortie.

Une autre application de ce montage est le « buffer » de courant, le courant d'entrée IE étant quasiment égal au courant de sortie IC.

Sommaire

Caractéristiques en petits signaux

Remarque 
Les lignes parallèles indiquent que les composants sont disposés en parallèle.

Gain en tension


{V_\mathrm{out} \over V_\mathrm{in}} = g_m (R_\mathrm{C} \| R_\mathrm{load})\,


Résistance d'entrée


r_\mathrm{in} = R_\mathrm{E} \left\| {r_\pi\over 1 + \beta_0} \right.
On néglige la résistance R1//R2 car la base est à la masse (on court-circuit R1//R2)

Gain en courant


A_\mathrm{vm} = {r_\mathrm{in} \over R_\mathrm{load}}

Résistance à la sortie


r_\mathrm{out} = R_\mathrm{C}\,

Les variables non listées sur le schéma sont :

  • gm : la transconductance en siemens, calculée grâce à g_m = { I_\mathrm{C} \over V_\mathrm{T} } \,, avec :
  • \beta_0 = { I_\mathrm{C} \over I_\mathrm{B} } \, est le gain en courant à basse fréquence (communément appelé hFE). C'est un paramètre spécifique à chaque transistor. Il est indiqué dans sa fiche technique.
  • r_\pi = { \beta_0 \over g_m } = { V_\mathrm{T} \over I_\mathrm{B} } \,

Courant à saturation

IcSat =\frac{Vcc}{\left (Rc + Re  \right )}

Courant collecteur


Ic = \frac{\left ( \left (\frac{R2}{R1+R2}  \right )* Vcc \right )-0,7}{Re}


Tension d'entrée du collecteur

Vce=Vcc - \left ( Ic * \left ( Rc + Re \right ) \right )

Résistance d'entrée

Ren = βcc * Re

Résistance d'entrée "prime"

Re'=\frac{25}{Ie}\simeq \frac{25}{Ic}

Voir aussi

Liens internes

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